在集成电路封装过程中，引线键合质量直接决定器件电连接可靠性和使用寿命。现代IC制造工艺通常会在铝键合焊盘中掺入1%~2%的铜来提高铝金属化层抗电迁移力并增加机械强度。然而，这一措施也带来焊盘腐蚀与可键合性下降等问题。今天，科准测控小编就从相关机理与作用入手，为您深度剖析铝铜键合焊盘到底可不可靠以及如何预防失效。
一、铝铜合金相变与腐蚀机理
当铝中掺入铜并经烧结热处理后，若工艺控制不当，可能形成孤立的Cu-Al金属间化合物聚集体。其中，θ相（Al₂Cu）的电化学势能与纯铝及其他Cu-Al相存在约0.1V的差异。这种电势差在水汽与痕量卤素（如氯、氟）存在的环境下会形成微观原电池，引发电化学腐蚀。
腐蚀的结果是焊盘表面出现凹痕，严重时表现为肉眼可见的“棕色"或“黑色"金属变色现象，这将导致焊盘与引线之间的结合强度显著下降。
上图是Al -1.5%Cu焊盘球剪切后凹痕的扫描电子照片，腐蚀圆晕区域与正常区域相比，键合过的痕迹很弱（即无 Au 残留物或任何键合的证据）。
二、铜分布均匀性的关键作用
腐蚀问题的核心在于铜元素在铝层中的分布状态。若铜以均匀固溶体形式存在，其电化学行为相对稳定；反之，若形成孤立的Al₂Cu聚集体，则腐蚀风险急剧上升。因此，晶圆制造阶段的热处理工艺至关重要。适当的退火处理可使铜充分扩散，避免有害相的形成。此外，晶圆切割与清洗工序中残留的卤素污染物必须清除。
三、表面氧化层对可键合性的影响
铝铜合金焊盘还存在另一隐患：铜的添加会促进表面氧化层形成。研究表明，当铝铜金属层表面生成厚度达40Å的Cu₂O层时，引线键合难度显著增加。只有当Cu₂O层厚度控制在5Å以下时，才能保证金属层具备良好的可键合性。因为氧化层的存在意味着引线键合时需要施加更高的超声能量，增加了硅芯片弹坑风险，最终导致键合强度与长期可靠性下降。
四、铜含量多少合适？
根据文献数据与工艺经验，当铝金属层中铜含量超过1.5% 时，可键合性下降的趋势变得显著。晶圆厂必须精确控制铜掺杂浓度与热处理制度，铜含量并非越高越好，1%~2%的掺杂范围需要配合精确的热工艺窗口，才能兼顾抗电迁移性能与可键合性。
五、封装企业如何应对失效风险？
铝铜焊盘带来的问题是无法通过后道工艺修正的。但以下措施可有效降低失效风险：
1. 来料检验：建立键合焊盘表面质量检验标准，发现“棕色金属"变色现象时应拒收该批次芯片；
2. 工艺参数优化：针对铝铜焊盘特性，重新优化超声功率、键合压力与温度参数；
3. 失效分析能力：当发生键合强度不足时，应能够通过表面分析手段（如SEM/EDX）识别Cu₂O层或腐蚀痕迹。
铝铜合金焊盘是IC制造与封装交叉领域的一个关键技术节点——前道材料优化决策，直接影响到后道工艺窗口可靠性。只有晶圆厂与封装厂建立起对材料特性共同理解，才能实现高可靠性引线键合。
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